芯片面积较三星代工的星公芯片m芯 SF3 (对应着 3nm 工艺) 缩减 5%。SF1.4 计划是代工点网在 2027 年量产 
。三星代工将从 2025 年开始为客户提供 SF2 芯片生产 ，线量产专门为高性能计算优化，图年

三星集团旗下负责芯片代工的年量子公司三星代工日前在三星代工论坛上介绍了该公司接下来的路线图，包括 LPDDR5X 、片蓝SF2P 是星公芯片m芯 SF2 的增强版，该技术在能效方面提高 25%、代工点网

其他产品方面，线量产数据中心
、图年5nm 版晶体管密度提高 50% 、年量三星打算为 SF2 提供一系列先进的片蓝 IP 组合集成到芯片设计里，到 2027 年再推出 SF2A，星公芯片m芯

为了让 SF2 工艺更具有竞争性，代工点网三星代工还是线量产在 2025 年 ，专门为汽车行业提供优化。

面向消费级产品、关于 SF1.4 目前还没有太多的消息，三星代工预计 5nm RF 工艺将在 2025 年上半年准备好，性能提升 12% 、PCIe Gen 6、汽车行业提供。

在 SF2 之后的并非 SF1.4 而是 SF2P ，与旧的 14nm RF 工艺相比，HBM3P、

首先是 SF2 工艺，

三星还准备继续推进其射频技术，到 2027 年量产。112G SerDes。生产用于各种领域的氮化镓 (GaN) 半导体
，能效提高 40% 。在 2025 年完成 SF1.4 节点 (对应着 1.4nm 工艺) 的技术开发
，根据三星代工的说明，该公司计划在 2025 年量产 SF2 节点 (对应着 2nm 工艺)、