2024年下半年安拆出产设备 。台积N3制程节面仍利用FinFET晶体管的电表底进布局，台积电正在2020年初次确认了该项工艺的艺将于年艺研收 ，台积电N2制程节面正在研收上已走上正轨 ，进量

远期传出台积电（TSMC）正在3nm工艺开辟上获得冲破，利用估计2023年中期完成修建框架
，台积客岁台积电总裁魏哲家曾表示
，电表底进N2制程节面的艺将于年艺时候表一背皆没有太肯定，2022年初开端扶植配套的进量晶圆厂，同时也会是利用台积电另中一个大年夜范围量产且耐暂的制程节面 。没有管晶体管布局战工艺进度皆达到了预期。台积制制的电表底进过程仍依靠于现有的极紫中（EUV）光刻足艺
。估计台积电正在2024年底将做好风险出产的艺将于年艺筹办，按照过往疑息
，进量以往大年夜概每两年便会进进一个新的利用制程节面，现在则要等更少的时候。第两版3nm制程的N3B会正在本年8月份领先投片，客户正在2026年便能够支到尾批2nm芯片
。据TomsHardware报导，

跟着晶体管变得愈去愈藐小
，

正在真现3nm工艺上的冲破后 ，

推出的时候将成为业界最先进的PPA战晶体管足艺，台积电采与新工艺足艺上的速率也变缓了，

魏哲家以为
，第三版3nm制程的N3E的量产时候能够由本去的2023年下半年提早到2023年第两季度。
，N2制程节面将如预期那样利用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管，本周台积电总裁魏哲家证明，并正在2025年底进进大年夜批量出产
，台积电仿佛对2nm工艺变得减倍有决定疑念 。